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參數資料
| 型號： | F49L800UA |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（100萬x 8/512K × 16）3V時僅閃存的CMOS |
| 文件頁數： | 42/47頁 |
| 文件大小： | 435K |
| 代理商： | F49L800UA |
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ES MT
10.4 TEMPORARY SECTOR UNPROTECT Operation
F49L800UA/F49L800BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : May. 2007
Revision: 1.2 42/47
Table 14. Temporary Sector Unprotect
Symbol
Description
All Speed Options
Unit
T
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
T
RSP
ESET
Unprotect
R
Setup Time for Temporary Sector
Min
4
us
Notes:
Not 100% tested
Figure 24. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
Figure 25. Q6 vs Q2 for Erase and Erase Suspend Operations
Notes :
The system can use OE or CE to toggle DQ2 / DQ6, DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended.
W E
RY/BY
CE
RESET
t
V I D R
t
RS P
0 or V
CC
P r o g r am or E r as e C om m an d S eq u e n c e
t
V I D R
0 or V
CC
12V
W E
DQ6
DQ2
Enter Embedded
Erasing
Erase
Suspend
Enter Erase
Suspend Program
Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Read
Erase
Resume
Erase
Erase
Complete
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F49L800UA-70T | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L800UA-90T | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F50-A24-3002A90 | RF Coaxial Connectors |
| F5001H | INTELIGENT POWER SWITCH |
| F5001 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| F49L800UA_08 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L800UA_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
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