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參數(shù)資料
| 型號： | FD3000AU-120DA |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE |
| 中文描述： | 高功率，高頻率新聞袋型 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | FD3000AU-120DA |
Jul. 2002
Forward voltage
Repetitive peak reverse current
Reverse recovery charge
Reverse recovery energy
Thermal resistance
MITSUBISHI SOFT RECOVERY DIODE
FD3000AU-120DA
HIGH POWER, HIGH FREQUENCY
PRESS PACK TYPE
V
FM
I
RRM
Q
RR
Erec
R
th(j-f)
V
mA
μ
C
J/P
K/W
Symbol
Parameter
Test conditions
Limits
Typ.
—
—
—
—
—
Min.
—
—
—
—
—
Max.
4.5
300
9500
22
0.004
Unit
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
I
FM
= 6300A, T
j
= 125
°
C
V
RM
= 6000V, T
j
= 125
°
C
I
FM
= 2800A, d
i
/d
t
= 500A/
μ
s, V
R
= 3000V
C
C
= 6
μ
F, L
C
= 0.3
μ
H, T
j
= 125
°
C
Junction to Fin
(See Fig. 1, 2)
Fig. 1: Reverse recovery test circuit
Fig. 2: Reverse recovery waveform
Rc
L (load)
GCT
CDi
CDi
Di
Cc
Cc
ANL
Rc
0
90%I
RM
di/dt(0
~
50%I
RM
)
V
RM
trr
I
T
50%I
RM
50%I
T
Q
RR
=(trr
×
I
RM
)/2
V
R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FD300R12KE3 | Technische Information / technical information |
| FD5000AV-100DA | MITSUBISHI RECTIFIER DIODE |
| FD500JV-90DA | Card Edge Connector; Number of Contacts:98; Pitch Spacing:1mm; Tail Length:2.30mm; Contact Termination:Solder; Connector Mounting:PC Board; Contact Material:Phosphor Bronze; Contact Plating:Tin; Leaded Process Compatible:Yes |
| FD64 | 64-Pin, Low Profile Quad Flat Package, LQFP |
| FD800R33KF2C-K | Technische Information / technical information |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FD300R06KE3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD300R07PE4_B6 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 300A 650V |
| FD300R07PE4B6BOSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| FD300R12KE3 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 300A CHOPPER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FD300R12KS4 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 370A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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