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參數(shù)資料
| 型號： | FD3000AU-120DA |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE |
| 中文描述： | 高功率，高頻率新聞袋型 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | FD3000AU-120DA |
Jul. 2002
MITSUBISHI SOFT RECOVERY DIODE
FD3000AU-120DA
HIGH POWER, HIGH FREQUENCY
PRESS PACK TYPE
PERFORMANCE CURVES
I
F
V
FM
(V)
ON STATE CHARACTERISTICS
(TYP.)
I
F
(A)
Erec VS I
F
(TYP.)
Z
t
TIME (S)
MAXIMUM THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTIC
(JUNCTION TO FIN)
E
1
0
2
3
4
5
6
7
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
T
j
=125
°
C
T
j
=25
°
C
0
500 1000 1500
2500
2000
0
3500
3000
5
10
15
20
25
Condition
V
R
=3000V, Tj=125
°
C
di/dt=500A/
μ
s
Cc=6
μ
F, Lc=0.3
μ
H
0.002
0.001
0.000
0.005
0.003
0.006
10
-2
10
-1
10
0
10
0
2 3 5 7
2 3 5 7
2 3 5 7
2 3 5 7
10
-3
0.004
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FD300R12KE3 | Technische Information / technical information |
| FD5000AV-100DA | MITSUBISHI RECTIFIER DIODE |
| FD500JV-90DA | Card Edge Connector; Number of Contacts:98; Pitch Spacing:1mm; Tail Length:2.30mm; Contact Termination:Solder; Connector Mounting:PC Board; Contact Material:Phosphor Bronze; Contact Plating:Tin; Leaded Process Compatible:Yes |
| FD64 | 64-Pin, Low Profile Quad Flat Package, LQFP |
| FD800R33KF2C-K | Technische Information / technical information |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FD300R06KE3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD300R07PE4_B6 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 300A 650V |
| FD300R07PE4B6BOSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| FD300R12KE3 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 300A CHOPPER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FD300R12KS4 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 370A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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