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參數資料
| 型號： | FDA20N50 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 22 A, 500 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | FDA20N50 |
6
www.fairchildsemi.com
FDA20N50 Rev. B
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA20N50_07 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA2712 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 64A, 34mヘ |
| FDA33N25 | N-Channel MOSFET |
| FDA50N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDH50N50 | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDA20N50_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDA20N50_0707 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDA20N50_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDA20N50_F109 | 功能描述:MOSFET 500V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA20N50F | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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