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參數資料
| 型號： | FDB2572 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
| 中文描述： | 4 A, 150 V, 0.054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | FDB2572 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2572 / FDP2572 Rev. B
F
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
5
10
15
20
25
30
35
40
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
0.01
0.1
1.0
10
-4
10
-3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2.0
10
-5
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
SINGLE PULSE
100
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
20
500
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP2614 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDP3651U | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDB2572_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB-25P | 制造商:Hirose 功能描述: |
| FDB-25P(05) | 制造商:Hirose 功能描述: |
| FDB-25P0L2TI/1 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:25 way straight PCB filtered D plug,5A |
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