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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDB2572 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
| 中文描述： | 4 A, 150 V, 0.054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/11頁(yè) |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | FDB2572 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2572 / FDP2572 Rev. B
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
10
100
1000
0.1
1
10
150
1000
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
5
10
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
15
20
25
30
V
G
,
V
DD
= 75V
I
D
= 9A
I
D
= 4A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP2614 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDP3651U | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDB2572_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB-25P | 制造商:Hirose 功能描述: |
| FDB-25P(05) | 制造商:Hirose 功能描述: |
| FDB-25P0L2TI/1 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:25 way straight PCB filtered D plug,5A |
| FDB25P-1064MTX | 制造商:SOURIAU 功能描述: |
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