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參數資料
| 型號： | FDB4030L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 20 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | FDB4030L |
FDP4030L Rev.B1
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
4
8
12
16
20
0
3
6
9
12
15
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 10A
V = 6V
12V
24V
0.1
0.3
1
4
10
30
40
100
200
400
1000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
0.5
1
3
5
10
20
30
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V))
I
D
100μs
1ms
10ms
DC
R Lmt
DS(ON)
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 4 C/W
T = 25 °C
GS
JC
10μs
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
0
0.001
0.01
0.1
1
10
200
400
600
800
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R = 4°C/W
T = 25°C
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t ,TIME (sec)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 4.0 °C/W
T - T = P * R JC
P(pk)
t
1
t
2
r
N
E
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP4030L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDB44N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDB44N25TM | 250V N-Channel MOSFET |
| FDB52N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FDB52N20TM | 200V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDB4100 | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FDB 40C BKR |
| FDB42AN15A0 | 功能描述:MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB42AN15A0_F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / TO263_03, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET |
| FDB44N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDB44N25TM | 功能描述:MOSFET 250V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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