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參數資料
| 型號： | FDB5680 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| 中文描述： | 40 A, 60 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 3/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 440K |
| 代理商： | FDB5680 |
FDP5680/FDB5680 Rev. C
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, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
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, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 4.0V
10V
5.0V
7.0V
4.5V
6.0V
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
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T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
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D
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= 10V
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V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 20A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
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20
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40
50
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3
4
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6
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDF5680 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDP5680 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDB5686 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDB5690 | 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
| FDP5690 | 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDB5686 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDB5690 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB5800 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB5800_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB600 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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