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參數資料
型號: FDB5680
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述: 40 A, 60 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: D2PAK-3
文件頁數: 4/16頁
文件大小: 440K
代理商: FDB5680
FDP5680/FDB5680 Rev. C
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10
15
20
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Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 20A
V
DS
= 10V
20V
30V
0
500
1000
1500
2000
2500
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0
0.0001
300
600
900
1200
1500
0.001
0.01
0.1
1
10
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 2.3
o
C/W
T
C
= 25
o
C
0.1
0.5
1
10
100
1000
3000
10000
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME (ms)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R =2.3
°
C/W
JC
T - T = P * RJC
P(pk)
t
1
t
2
r
(
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
RDS(ON) LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 2.3
o
C/W
T
C
= 25
o
C
I
D
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
相關PDF資料
PDF描述
FDF5680 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDP5680 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDB5686 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDB5690 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
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參數描述
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