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參數資料
| 型號： | FDB8030L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 80 A, 30 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 358K |
| 代理商： | FDB8030L |
FDP8030L Rev C(W)
Typical Characteristics
0
40
80
Q , GATE CHARGE (nC)
120
160
200
240
0
2
4
6
8
10
V
G
I = 80A
V = 5V
DS
10V
15V
0.1
0.5
1
2
5
10
30
500
1000
2000
5000
10000
18000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
V = 0V
C ss
C ss
C ss
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.3
1
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
3
5
10
20
30
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
300
600
I
D
100μs
1ms
10ms
DC
R Limt
DS(ON)
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 0.8 °C/W
T = 25 °C
GS
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1,000
0
1000
2000
3000
4000
5000
SINGLE PULSE TIME (mSEC)
P
SINGLE PULSE
R = 0.8°C/W
T = 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
500
1000
0.005
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME (ms)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t /t
1
2
R (t) = r(t) * R
R = 0.8 °C/W
T - T = P * R JC
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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