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參數資料
| 型號： | FDB8445 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 70A, 9mOhm |
| 中文描述： | 70 A, 40 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 334K |
| 代理商： | FDB8445 |
F
FDB8445 Re
v A
1
(W)
www.fairchildsemi.com
4
Typical Characteristics
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
P
T
C
, CASE TEMPERATURE
(
o
C
)
Figure 2.
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
V
GS
= 10V
CURRENT LIMITED
BY WIRE
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE
(
o
C
)
Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3.
10
-5
10
-4
10
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
SINGLE PULSE
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
N
I
θ
J
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
Figure 4. Peak Current Capability
10
-5
10
-4
10
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
100
1000
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
I
D
,
P
2000
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB8447L | 40V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FDB8453LZ | 功能描述:MOSFET 40V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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