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參數資料
| 型號： | FDC6308P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET |
| 中文描述： | 1700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 325K |
| 代理商： | FDC6308P |
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0.8
1
1.2
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-V
SD
, BODY DIODE VOLTAGE (V)
T
J
=125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
=0
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S
,
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2
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2
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6
8
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- I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.5V
-3.5V
-4.5V
-3.0V
-4.0V
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -1.7A
V
GS
= -4.5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
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1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -0.9A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
2
4
6
8
10
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -4.5V
-2.5V
-3.5V
-3.0v
-2.0V
-4.0V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| FDC6310P | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDC6318P | Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FDC6310P_Q | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC6312P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC6312P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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