- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375768 > FDC6308P (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDC6308P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET |
| 中文描述： | 1700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 325K |
| 代理商： | FDC6308P |
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT -6 (FS PKG Code 31, 33)
SuperSOT
TM
-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0158
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC6310P | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDC6312P | Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET |
| FDC6318 | Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET |
| FDC6318P | Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET |
| FDC6320 | Dual N & P Channel , Digital FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDC630C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDC6310P | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC6310P_Q | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC6312P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC6312P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。