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參數資料
型號: FDD6676A
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
中文描述: 30V的N溝道的PowerTrench式SyncFET
文件頁數: 5/8頁
文件大小: 120K
代理商: FDD6676A
FDD6676AS Rev A(X)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 78A
V
DS
= 10V
20V
15V
0
1000
2000
3000
4000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
C
rss
C
oss
Figure 7. Gate Charge Characteristics
Figure 8. Capacitance Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
10
100
I
D
,
DC
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
10s
100us
1ms
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 96°C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關PDF資料
PDF描述
FDD6676AS 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDD6676AS_NL 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDD6676S 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6676 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6680A N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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