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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDD6N25 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 250V N溝道MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大小： | 686K |
| 代理商： | FDD6N25 |
6
www.fairchildsemi.com
FDD6N25 / FDU6N25 Rev. A
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6N25TF | 250V N-Channel MOSFET |
| FDD6N25TM | 250V N-Channel MOSFET |
| FDD6N50F | N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50FTF | N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50FTM | N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDD6N25TF | 功能描述:MOSFET 250V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD6N25TM | 功能描述:MOSFET 250V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD6N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDD6N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50FTF | 功能描述:MOSFET 500V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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