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參數資料
| 型號： | FDD6N25TM |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 4.4 A, 250 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封裝： | LEAD FREE, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 686K |
| 代理商： | FDD6N25TM |
8
www.fairchildsemi.com
FDD6N25 / FDU6N25 Rev. A
F
Mechanical Dimensions
I-PAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6N50F | N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50FTF | N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50FTM | N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDD6N50TF | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDD6N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDD6N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50FTF | 功能描述:MOSFET 500V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD6N50FTM | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD6N50RTF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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