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參數資料
型號: FDD8882
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 35 A, 30 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝: DPAK-3
文件頁數: 7/12頁
文件大小: 277K
代理商: FDD8882
FDD8882/FDU8882 Rev. 1.0.0
www.fairchildsemi.com
F
7
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18.
Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 1V
0
Q
gs2
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
Q
gd
Q
g(5)
V
GS
= 5V
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
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