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參數資料
| 型號： | FDFMA3N109 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode |
| 中文描述： | 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6 |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | FDFMA3N109 |
FDFMA3N109 Rev B(W)
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDFMA3N109_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Integrated N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode |
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| FDFMC2P120 | 功能描述:MOSFET -20V Integr P-Ch PT MOSFET-Schtky Dio RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDFME2P823CT | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDFME2P823ZT | 功能描述:MOSFET -20V Integrated P-Ch PwrTrnch w/Sch Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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