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參數資料
| 型號： | FDFMC2P120 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode |
| 中文描述： | 3.5 A, 20 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-229WEEA |
| 封裝： | 3 X 3 MM, 0.80 MM HEIGHT, MLP-6 |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | FDFMC2P120 |
FDFMC2P120 Rev.E (W)
F
NOTES :
A.
VARIATION WEEA, DATE 11/2001.
B.
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C.
DIMENSIONS AND TOLERANCES PER
ASME Y14.5M 1994
CONFORMS TO JEDEC REGISTRATION M0-229,
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDFS2P102A | Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode |
| FDFS2P102 | FETKEY P-Channel MOSFET with Schottky Diode |
| FDFS2P103 | Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode |
| FDFS2P103A | Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode |
| FDFS2P106A | Integrated 60V P-Channel PowerTrench剖 MOSFET and Schottky Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDFME2P823CT | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDFME2P823ZT | 功能描述:MOSFET -20V Integrated P-Ch PwrTrnch w/Sch Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDFME3N311ZT | 功能描述:MOSFET Int. NCh PowerTrench MOSFET & Sch. Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDFMJ2P023Z | 功能描述:MOSFET -20V Integrated P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDFMM-TTL-100F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog Miscellaneous |
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