- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375776 > FDMB3800N (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 30V N-Channel PowerTrench MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDMB3800N |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 4800 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, 3 X 1.90 MM, 0.80 MM HEIGHT, MICROFET-8 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | FDMB3800N |
F
FDMB3800N Rev. C
www.fairchildsemi.com
6
Dimensional Outline and Pad Layout
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMB506P | P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDMB668P | P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mohm |
| FDMC2523P_07 | P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ |
| FDMC2523P | P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ohm |
| FDMC2610_07 | N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 200V, 9.5A, 200mヘ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDMB3800N_0610 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 4.8A, 40mз |
| FDMB3800N_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 4.8A, 40m |
| FDMB3900AN | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Chanenl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMB506P | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMB668P | 功能描述:MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。