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參數資料
| 型號： | FDMC3300NZA_07 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20V, 8A, 26mヘ |
| 中文描述： | 單片共漏N溝道㈢為2.5V指定的PowerTrench MOSFET的20V的，8A條，26分ヘ |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | FDMC3300NZA_07 |
F
M
FDMC3300NZA Rev.C
www.fairchildsemi.com
5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC3300NZA | Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench |
| FDMC5614P | P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMC6890NZ | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMC8554 | N-Channel Power Trench MOSFET 20V, 16.5A, 5mohm |
| FDMC8854 | N-Channel Power Trench MOSFET 30V, 15A, 5.7mohm |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDMC3612 | 功能描述:MOSFET 100V PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMC4435BZ | 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMC4435BZ_F125 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMC4435BZ_F126 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMC4435BZ_F127 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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