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參數資料
| 型號： | FDN335 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | N溝道MOSFET的2.5V的指定PowerTrenchTM |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | FDN335 |
SSOT-3 Std Unit Orientation
Conductive Embossed
Carrier Tape
Customize Label
Antistatic Cover Tape
SSOT-3 Packaging
Configuration:
Figure 1.0
Components
Leader Tape
390mm minimum
Trailer Tape
160mm minimum
SSOT-23 Tape Leader and Trailer
Configuration:
Figure 2.0
Cover Tape
Carrier
Pin 1
Tape
Note/Comments
Packaging Option
SSOT-3 Std Packaging Information
Standard
(no flow code)
TNR
D87Z
Packaging type
Reel Size
7” Dia
TNR
13”
Qty per Reel/Tube/Bag
3,000
10,000
Box Dimension (mm)
187x107x183
343x343x64
Max qty per Box
9,000
20,000
Weight per unit (gm)
0.0097
0.0097
Weight per Reel (kg)
0.1230
0.4150
Human Readable Label
Human Readable Label sample
343mm x 342mm x 64mm
Intermediate box for D87Z Option
Human Readable
Label
187mm x 107mm x 183mm
Intermediate Box for Standard Option
3P
3P
3P
3P
Human Readable
Label
SuperSOT
TM
-3 Tape and Reel Data and Package Dimensions
December 1998, Rev. B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN335N | N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDN336 | Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDN336P | Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDN337N | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDN338 | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDN335N | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDN335N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| FDN335N_NL | 功能描述:MOSFET N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDN335N_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDN335N-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN335N Series 20 V 0.07 Ohm N-Channel 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
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