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參數資料
| 型號： | FDP2614 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 62 A, 200 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | FDP2614 |
3
www.fairchildsemi.com
FDP2614 Rev. A
F
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs. Drain
Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage Varia-
tion vs. Source Current and Temperature
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
0.1
1
10
1
10
100
* Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
I
D
,
V
DS
,Drain-Source Voltage[V]
500
2
4
6
8
1
10
100
1000
-55
o
C
150
o
C
* Notes :
1. V
DS
= 10V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
o
C
I
D
,
V
GS
,Gate-Source Voltage[V]
0
50
100
150
200
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
* Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
[
Ω
]
,
D
I
D
, Drain Current [A]
0.015
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
10
100
1000
* Notes :
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
T
A
= 25
o
C
T
A
= 150
o
C
I
VSD, Source-Drain voltage [V]
0.1
1
10
0
3000
6000
9000
C
oss
C
iss
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
* Note:
1. V
GS
= 0V
2. f = 1MHz
C
rss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
30
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
* Note : I
D
= 62A
V
DS
= 40V
V
DS
= 100V
V
DS
= 160V
V
G
,
Q
g
, Total Gate Charge [nC]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDP3651U | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM |
| FDP3672 | N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDP2670 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP2670_Q | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP26N40 | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP2710 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP2710_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 250V, 50A, 47m?? |
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