- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375779 > FDP2614 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 200V N-Channel PowerTrench MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDP2614 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 62 A, 200 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | FDP2614 |
6
www.fairchildsemi.com
FDP2614 Rev. A
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDP3651U | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM |
| FDP3672 | N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDP2670 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP2670_Q | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP26N40 | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP2710 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP2710_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 250V, 50A, 47m?? |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。