- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375780 > FDP8030L (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDP8030L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 80 A, 30 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 358K |
| 代理商： | FDP8030L |
FDP8030L Rev C(W)
Typical Characteristics
0
40
80
Q , GATE CHARGE (nC)
120
160
200
240
0
2
4
6
8
10
V
G
I = 80A
V = 5V
DS
10V
15V
0.1
0.5
1
2
5
10
30
500
1000
2000
5000
10000
18000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
V = 0V
C ss
C ss
C ss
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.3
1
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
3
5
10
20
30
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
300
600
I
D
100μs
1ms
10ms
DC
R Limt
DS(ON)
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 0.8 °C/W
T = 25 °C
GS
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1,000
0
1000
2000
3000
4000
5000
SINGLE PULSE TIME (mSEC)
P
SINGLE PULSE
R = 0.8°C/W
T = 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
500
1000
0.005
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME (ms)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t /t
1
2
R (t) = r(t) * R
R = 0.8 °C/W
T - T = P * R JC
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB8030L | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDP8441 | N-Channel PowerTrench MOSFET (40V, 80A, 2.7mohm) |
| FDP8447L | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 8.7mヘ |
| FDP8860 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP8870 | N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 156A, 4.1mз |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDP8030L_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP80N06 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP8440 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP8441 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP8441_F085 | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。