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參數資料
型號: FDR856P
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: 5100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SUPERSOT-8
文件頁數: 7/8頁
文件大小: 223K
代理商: FDR856P
SuperSOT
-8 (FS PKG Code 34, 35)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0416
SuperSOT
TM
-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關PDF資料
PDF描述
FDR858P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDR8702H 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS2070N7 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS2070N3 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS2170N3 200V N-Channel PowerTrench剖 MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FDR858P 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDR858P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-8
FDR8702H 功能描述:MOSFET N & PCh PowerTrench 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDRH20 制造商:TOKO 制造商全稱:TOKO, Inc 功能描述:Radial Type Fixed Inductor
FDRH2076-470M 制造商:TOKO 制造商全稱:TOKO, Inc 功能描述:Radial Type Fixed Inductor
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