- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375782 > FDS6064N3 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 30V N-Channel PowerTrench MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDS6064N3 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 23000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | FLMP, SO-8 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | FDS6064N3 |
FDS6064N3 Rev B2 (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
15
30
45
60
75
90
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
=
V
DS
= 5V
15V
10V
0
2000
4000
6000
8000
10000
0
5
10
15
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 85
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
100μs
10s
0
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 85°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 85 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6064N7 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6162N3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6162N7 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6294 | 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench? MOSFET |
| FDS6298 | 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS6064N7 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 20V 23A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6162N3 | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6162N7 | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6162N7 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 20V 23A 8SOIC |
| FDS6162N7 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。