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參數資料
| 型號： | FDS6064N3 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 23000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | FLMP, SO-8 |
| 文件頁數： | 6/6頁 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | FDS6064N3 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6064N7 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6162N3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6162N7 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6294 | 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench? MOSFET |
| FDS6298 | 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS6064N7 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 20V 23A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6162N3 | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6162N7 | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6162N7 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 20V 23A 8SOIC |
| FDS6162N7 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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