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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDS6162N3 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 21000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | FLMP, SO-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 189K |
| 代理商： | FDS6162N3 |
FDS6162N3 Rev B2 (W)
Dimensional Outline and Pad Layout
F
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDS6162N7 | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6162N7 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 20V 23A 8SOIC |
| FDS6162N7 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS6294 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6294 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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