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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDS6375 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | CONN RCPT .100 100POS DUAL HORZ |
| 中文描述： | 8000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | FDS6375 |
F
FDS6375 Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=125
o
C/W
T
A
=25
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 125°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
R
DS(ON)
LIMIT
DC
1s
10s
100ms
10ms
100
μ
s
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
Qg, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -8.0A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
4
8
12
16
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f= 1 MHz
V
GS
= 0V
C
iss
C
oss
C
rss
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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