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參數資料
| 型號： | FDS6375 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | CONN RCPT .100 100POS DUAL HORZ |
| 中文描述： | 8000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | FDS6375 |
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6570A | Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDS6572A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6574A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6575 | Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6576 | P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS6375 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
| FDS6375_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDS6375_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6570A | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6572A | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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