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參數資料
| 型號： | FDW2507N |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | CAP CER .56UF 50V 10% X7R 1210 |
| 中文描述： | 7500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | TSSOP-8 |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | FDW2507N |
FDW2507N Rev C2
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 7.5A
V
DS
= 5V
15V
10V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
4
8
12
16
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 114
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
100us
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 114°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
=114 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDW2508 | Dual P-Channel 1.8 V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2508P | Dual P-Channel 1.8 V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2509 | Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2509NZ | Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2510NZ | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDW2507N_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel 2.5V Common Drain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDW2507NZ | 功能描述:MOSFET 2.5V N-Ch MOSFET Common Drain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDW2508 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel 1.8 V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2508P | 功能描述:MOSFET 12V/8V PCh MOSFET Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDW2508P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL P SMD TSSOP-8 |
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