- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375787 > FDW2520C (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) CAP CER 82000PF 100V 10% X7R1210 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDW2520C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | CAP CER 82000PF 100V 10% X7R1210 |
| 中文描述： | 6000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA |
| 封裝： | TSSOP-8 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | FDW2520C |
FDW2520C Rev C(W)
Typical Characteristics: Q1
0
5
10
15
20
25
30
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
3.0V
1.5V
2.5V
2.0V
V
GS
= 4.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
5
10
15
20
25
30
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 2.0V
3.5V
3.0V
4.0V
4.5V
2.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 6A
V
GS
= 4.5V
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
1
2
3
4
5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 3 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
15
20
25
30
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDW2521C | Complementary PowerTrench MOSFET |
| FDW252P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW254PZ | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW254P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW256P | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDW2520C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TSSOP-8 COMPLEMENTARY NCH 20V 300AGA |
| FDW2520C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDW2520C_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Complementary PowerTrench MOSFET |
| FDW2520C_Q | 功能描述:MOSFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDW2521C | 功能描述:MOSFET 20V/-20V N/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。