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參數資料
| 型號： | FDZ206P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench |
| 中文描述： | 13 A, 20 V, 0.0095 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ULTRA THIN, BGA-30 |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | FDZ206P |
FDZ206P Rev. D1 (W)
Dimensional Outline and Pad Layout
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ208P | P-Channel 30 Volt PowerTrench |
| FDZ209N | 60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ2551N | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET |
| FDZ2552P | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET |
| FDZ2553NZ | Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDZ206P_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V PCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ208P | 功能描述:MOSFET 30V/25V PCh MOSFET BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ208P_Q | 功能描述:MOSFET 30V/25V PCh MOSFET BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ209N | 功能描述:MOSFET 60V/20V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ209N_Q | 功能描述:MOSFET 60V/20V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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