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參數(shù)資料
| 型號： | FDZ208P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel 30 Volt PowerTrench |
| 中文描述： | 12.5 A, 30 V, 0.0105 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ULTRA THIN, BGA-30 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | FDZ208P |
FDZ208P Rev C3 (W)
Dimensional Outline and Pad Layout
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ209N | 60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ2551N | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET |
| FDZ2552P | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET |
| FDZ2553NZ | Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ2553N | Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDZ208P_Q | 功能描述:MOSFET 30V/25V PCh MOSFET BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ209N | 功能描述:MOSFET 60V/20V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ209N_Q | 功能描述:MOSFET 60V/20V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FD-Z20HBW | 制造商:PANASONIC INDUSTRIAL AUTOMATION SALES 功能描述:FIBER FLAT DIFFUSE REFLECT R1 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:SENSOR, FIBRE OPTIC, REFLECTIVE, 85MM, Fiber Optic Sensor Type:Reflective, Sensing Range Max:85mm , RoHS Compliant: Yes 制造商:Panasonic Industrial Devices 功能描述:SENSOR, FIBRE OPTIC, REFLECTIVE, 85MM, Fiber Optic Sensor Type:Reflective, Sensi |
| FD-Z20W | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:FIBER DIFFUSE REFLECT FLAT R1 |
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