欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào): FGB30N6S2D
廠(chǎng)商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
中文描述: 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝: PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù): 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 281K
代理商: FGB30N6S2D
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH30N6S2D / FGP30N6S2D / FGB30NS2D Rev. A
F
Figure 13. Transfer Characteristic
Figure 14. Gate Charge
Figure 15. Total Switching Loss vs Case
Temperature
Figure 16. Total Switching Loss vs Gate
Resistance
Figure 17. Capacitance vs Collector to Emitter
Voltage
Figure 18. Collector to Emitter On-State Voltage vs
Gate to Emitter Voltage
Typical Performance Curves
(Continued)
I
C
,
0
25
50
7
9
16
75
150
5
125
100
175
6
8
10
11
12
13
14
15
PULSE DURATION = 250
μ
s
DUTY CYCLE < 0.5%, V
CE
= 10V
T
J
= -55
o
C
T
J
= 125
o
C
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
T
J
= 25
o
C
V
G
,
Q
G
, GATE CHARGE (nC)
2
10
0
6
4
8
12
2
6
10
12
0
14
16
14
16
18
24
4
8
20
I
G(REF)
= 1mA, R
L
= 25
, T
J
= 25
o
C
V
CE
= 200V
V
CE
= 400V
V
CE
= 600V
22
I
CE
= 6A
0
0.6
50
75
100
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
0.8
125
25
1.2
E
T
,
1.0
I
CE
= 24A
I
CE
= 12A
0.4
0.2
R
G
= 10
, L = 500mH, V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
TOTAL
= E
ON2
+ E
OFF
150
0.1
10
100
R
G
, GATE RESISTANCE (
)
1.0
1000
E
T
,
10
1
E
TOTAL
= E
ON2
+ E
OFF
T
J
= 125
o
C, L = 500
μ
H, V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
I
CE
= 24A
I
CE
= 12A
I
CE
= 6A
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
C
C
RES
0
10
20
30
40
50
0.0
0.4
1.2
1.4
0.8
C
OES
C
IES
60
70
80
90
100
0.2
0.6
1.0
FREQUENCY = 1MHz
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
V
C
,
I
CE
= 12A
DUTY CYCLE < 0.5%
PULSE DURATION = 250
μ
s, T
J
= 25
o
C
I
CE
= 6A
I
CE
= 24A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGH30N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FGP30N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FGB30N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FGH40N6S2D 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
FGH40N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FGB30N6S2DT 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGB30N6S2T 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS II Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGB3236 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FGB3236_F085 功能描述:IGBT 晶體管 320MJ 360V N-CH IGNITION IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGB40N60SM 功能描述:IGBT 晶體管 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 十堰市| 高碑店市| 孟州市| 鲁甸县| 石楼县| 富裕县| 河西区| 确山县| 叶城县| 汨罗市| 济南市| 马山县| 宿州市| 林口县| 马关县| 黔江区| 龙海市| 万山特区| 成武县| 霍城县| 卢氏县| 四会市| 涿州市| 安陆市| 望谟县| 辉南县| 卢氏县| 遂平县| 岳阳市| 郑州市| 辽阳县| 南陵县| 抚顺县| 三明市| 鞍山市| 西贡区| 会东县| 嘉峪关市| 犍为县| 淮滨县| 周至县|