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參數資料
| 型號： | FGH50N6S2D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 195K |
| 代理商： | FGH50N6S2D |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH50N6S2D RevA2
F
Figure 25. IGBT Normalized Transient Thermal Impedance, Junction to Case
Typical Performance Curves
T
J
= 25
°
C unless otherwise noted
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.10
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
0.50
0.20
0.05
0.02
0.01
Test Circuit and Waveforms
Figure 26. Inductive Switching Test Circuit
Figure 27. Switching Test Waveforms
R
G
= 3
L = 200
μ
H
V
DD
= 390V
+
-
FGH50N6S2D
DIODE TA49392
FGH50N6S2D
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH50N6S2 | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT |
| FGH60N6S2 | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT |
| FGK60N6S2D | INDUSTRIAL POWER SUPPLY, 85-265VAC/120-330VDC INPUT, 24V@14A RoHS Compliant: Yes |
| FGL40N120AND | 1200V NPT IGBT |
| FGL40N150 | Electrical Characteristics of the IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FGH50N6S2D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247 |
| FGH50T65UPD | 功能描述:IGBT 晶體管 650 V 100 A 240 W RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGH60N60SF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT |
| FGH60N60SFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT |
| FGH60N60SFDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch/ 60A 600V FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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