- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375860 > FMM6G50US60 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Compact & Complex Module PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FMM6G50US60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 24PM-AA, 24 PIN |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 987K |
| 代理商： | FMM6G50US60 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM6G50US60 Rev. A
F
30
40
50
60
70
80
90
100
100
1000
10000
Eoff
Eon
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 10
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
30
40
50
60
70
80
90
100
100
1000
Tr
Ton
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
e
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 10
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
30
40
50
60
70
80
90
100
100
1000
Tf
Toff
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 10
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
e
20
40
60
80
100
1000
10000
i
Eoff
Eon
G
ate R
esistance, R
g[
]
S
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
20
40
60
80
100
100
1000
Tr
Ton
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
G
ate R
esistance, R
g[
]
S
i
e
20
ate R
40
60
80
100
100
1000
Tf
Toff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
G
esistance, R
g[
]
S
i
e
Fig 7. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 8. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 11. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Switching Loss vs. Collector Current
Fig 9. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 10. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM7G30US60N | Compact & Complex Module |
| FMMD2838 | SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR |
| FMMD6100 | SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR |
| FMMT2222-1BZ | SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
| FMMT2222A-1P | SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMM75-01F | 功能描述:分立半導體模塊 75 Amps 100V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| FMM7G20US60I | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMM7G20US60N | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMM7G20US60SI | 功能描述:IGBT 模塊 Compact Module Complex RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMM7G20US60SN | 功能描述:IGBT 模塊 Compact Module Complex RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。