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參數(shù)資料
| 型號： | FMM6G50US60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 24PM-AA, 24 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 987K |
| 代理商： | FMM6G50US60 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM6G50US60 Rev. A
F
0
400
800
1200
1600
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
25
℃
T
C
= 125
℃
V
R
, Reverse Voltage [V]
I
R
,
0
10
20
30
40
50
2
10
20
5
Common Cathode
di/dt = 100A/
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
I
rr
T
rr
P
R
Forward Current, I
F
[A]
0
1
2
3
4
0
40
80
120
160
Common Cathode
V
GE
= 0V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
F
Forward Voltage, V
F
[V]
0
100
200
300
400
500
600
700
0.1
1
10
100
Single Nonrepetitive
Pulse T
J
≤
125
℃
V
GE
= 15V
R
G
= 10
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 17. Rectifier( Converter ) Characteristics
Fig 18. Rectifier( Converter ) Characteristics
0
20
40
60
80
100
0
3
6
9
12
15
300 V
200 V
V
C
C
= 100 V
C
R
om
m
on Em
itter
L
= 10
T
C
= 25
o
C
G
a
i
G
E
G
ate C
harge, Q
g
[nC
]
Fig 13. Gate Charge Characteristics
Fig 14. RBSOA Characteristics
Fig 15. Forward Characteristics
Fig 16. Reverse Recovery Characteristics
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
℃
T
C
=125
℃
V
F
, Forward Voltage [V]
I
F
,
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM7G30US60N | Compact & Complex Module |
| FMMD2838 | SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| FMM7G20US60N | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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| FMM7G20US60SN | 功能描述:IGBT 模塊 Compact Module Complex RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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