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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FMS6G10US60S |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 25PM-AA, 25 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 790K |
| 代理商： | FMS6G10US60S |
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FMS6G10US60S Rev. B1
1
www.fairchildsemi.com
F
August 2005
FMS6G10US60S
Compact & Complex Module
Features
Short Circuit Rated 10
μ
s @ T
C
= 100
°
C, V
GE
= 15V
High Speed Switching
Low Saturation Voltage : V
CE
(sat) = 2.1 V @ I
C
= 10A
High Input Impedance
Built-in 1 Phase Rectifier Circuit
Fast & Soft Anti-Parallel FWD
Built-in NTC Thermistor
Applications
AC & DC Motor Controls
General Purpose Inverters
Robotics
Servo Controls
UPS
Description
Fairchild IGBT Power Module provides low conduction and
switching losses as well as short circuit ruggedness. It’s
designed for the applications such as motor control and general
inverters where short-circuit ruggedness is required.
Package Code : 25PM-AA
Internal Circuit Diagram
23
24
4
21
20
8
19
18
9
13
17
16
14
10
15
5
3
6
7
NTC
11
12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMS6G15US60S | Compact & Complex Module |
| FMS6G15US60 | Compact & Complex Module |
| FMS6G20US60S | Compact & Complex Module |
| FMS6G20US60 | Compact & Complex Module |
| FMS7401 | Digital Power Controller |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMS6G15US60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMS6G15US60S | 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMS6G20US60 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMS6G20US60S | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMS7000MTC14X | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:VIDEO |
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