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參數資料
| 型號： | FMS6G10US60S |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 25PM-AA, 25 PIN |
| 文件頁數： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 790K |
| 代理商： | FMS6G10US60S |
4
www.fairchildsemi.com
FMS6G10US60S Rev. B1
F
Electrical Characteristics of DIODE
@ Inverter
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Electrical Characteristics of DIODE
@ Converter
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Thermal Characteristics
Symbol
NTC Thermistor Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 10A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
--
1.9
2.8
V
--
2.0
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 10A
di / dt = 20 A/us
--
85
150
ns
--
110
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Current
--
0.7
1.4
A
--
1.0
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
30
105
nC
--
55
--
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 20A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
--
1.1
1.5
V
--
1.0
--
I
RRM
Repetitive Reverse Current
V
R
= V
RRM
--
--
8
mA
--
5
--
Parameter
Typ.
Max.
Units
Inverter
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
JC
Junction-to-Case (IGBT Part, per 1/6 Module)
--
1.9
°
C
/
W
°
C
/
W
°
C
/
W
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/6 Module)
--
2.9
Converter
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/6 Module)
--
1.5
Weight
Weight of Module
60
--
g
Parameter
Tol.
Typ.
Units
Thermistor
R25
Rated Resistance @ Tc = 25
°
C
+/- 5 %
4.7
K
B(25/100)
B - Value
+/- 3 %
3530
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMS6G15US60S | Compact & Complex Module |
| FMS6G15US60 | Compact & Complex Module |
| FMS6G20US60S | Compact & Complex Module |
| FMS6G20US60 | Compact & Complex Module |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FMS7000MTC14X | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:VIDEO |
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