- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375864 > FMS6G10US60S (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Compact & Complex Module PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FMS6G10US60S |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 25PM-AA, 25 PIN |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 790K |
| 代理商： | FMS6G10US60S |
5
www.fairchildsemi.com
FMS6G10US60S Rev. B1
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Characteristics
Figure 2. Typical Saturation Voltage
Figure 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Figure 4. Transient Thermal Impedance
Figure 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Figure 6. Saturation Voltage vs. V
GE
1
10
0
5
10
15
20
25
30
Common Emitter
V
GE
= 15 V
T
C
= 25
T
C
= 125
------
℃
℃ ℃℃
C
o
u
C
]
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
0
2
4
6
8
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
V
G
E
= 10 V
12 V
15 V
20 V
C
o
u
C
]
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
-50
0
50
100
150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Common Emitter
V
GE
= 15 V
I
C
= 5 A
10 A
20 A
C
o
i
C
E
C
ase Tem
perature, T
C
[
o
C
]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
10
Single Pulse
(Therm
al R
esponse)
FR
D
IG
B
T
T
/
℃
Rectangular Pulse Duration [sec]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
20A
10A
I
C
= 5A
C
o
i
C
E
(
G
ate - Em
itter Voltage, V
G
E
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
20A
10A
I
C
= 5A
C
o
i
C
E
(
G
ate - Em
itter Voltage, V
G
E
[V]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMS6G15US60S | Compact & Complex Module |
| FMS6G15US60 | Compact & Complex Module |
| FMS6G20US60S | Compact & Complex Module |
| FMS6G20US60 | Compact & Complex Module |
| FMS7401 | Digital Power Controller |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMS6G15US60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMS6G15US60S | 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMS6G20US60 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMS6G20US60S | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMS7000MTC14X | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:VIDEO |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。