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參數資料
| 型號： | FMS6G10US60S |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 25PM-AA, 25 PIN |
| 文件頁數： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 790K |
| 代理商： | FMS6G10US60S |
8
www.fairchildsemi.com
FMS6G10US60S Rev. B1
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 19. Rectifier (Converter) Characteristics
Figure 20. Rectifier (Converter) Characteristics
Figure 21. NTC Characteristics
0
400
800
1200
1600
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
C
= 125
o
C
25
o
C
R
e
u
R
]
R
everse Voltage, V
R
[V]
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1
10
100
25
o
C
T
C
= 125
o
C
I
a
u
F
]
Instantaneous Voltage, V
F
[V]
0
25
50
75
100
125
0
4
8
12
16
R
e
[
]
Tem
perature, T [
o
C
]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMS6G15US60S | Compact & Complex Module |
| FMS6G15US60 | Compact & Complex Module |
| FMS6G20US60S | Compact & Complex Module |
| FMS6G20US60 | Compact & Complex Module |
| FMS7401 | Digital Power Controller |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FMS6G15US60S | 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMS6G20US60 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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| FMS7000MTC14X | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:VIDEO |
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