欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FP20R06KL4
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT-Module
中文描述: 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-23
文件頁數: 11/13頁
文件大小: 237K
代理商: FP20R06KL4
Technische Information / Technical Information
FP20R06KL4
IGBT-Module
IGBT-Modules
Vorlufig
Preliminary
Schaltplan/ Circuit diagram
Gehuseabmessungen/ Package outlines
Bohrplan /
drilling layout
11(12)
相關PDF資料
PDF描述
FP25R12KE3 IGBT-Module
FP40R12KE3G Automotive Low-Cost Non-Volatile FPGA Family; Voltage: 1.2V; Grade: -5; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temperature: AUTO; LUTs (k): 17
FP50N06L 50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
FP50R12KE3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
FP75R12KE3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
相關代理商/技術參數
參數描述
FP20R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP20R06W1E3_B11 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 20A 600V
FP20R06YE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP20R06YE3_B4 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP20SD 制造商:Thomas & Betts 功能描述:CONTACTS
主站蜘蛛池模板: 康平县| 诏安县| 冷水江市| 贡嘎县| 长子县| 疏勒县| 靖江市| 新化县| 临颍县| 宿松县| 确山县| 新泰市| 瓦房店市| 德惠市| 龙门县| 随州市| 海安县| 英吉沙县| 冕宁县| 淄博市| 八宿县| 方城县| 乐至县| 阜新| 双峰县| 英山县| 泾源县| 绥化市| 长沙县| 扶余县| 广东省| 泰宁县| 河源市| 松江区| 巴彦淖尔市| 固阳县| 武乡县| 涟源市| 阳高县| 安塞县| 永城市|