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參數資料
| 型號： | FQG4904 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 400V Dual N & P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 0.46 A, 400 V, 3 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | DIP-8 |
| 文件頁數： | 11/12頁 |
| 文件大小： | 1158K |
| 代理商： | FQG4904 |
Rev. A1, April 2002
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Dimensions in Millimeters
Package Dimensions
8-DIP
6.40
±
0.20
0.252
±
0.008
3.30
±
0.30
0.130
±
0.012
3.40
±
0.20
0.134
±
0.008
#1
#4
#5
#8
9
±
0
0
2
0
0
(
)
0
±
0
0
±
0
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0
1
±
0
0
±
0
9
0
5.08
0.200
0.33
0.013
7.62
0.300
0~15
°
MAX
MIN
0.25
+0.10
0.010
+0.004
–0.05
–0.002
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQH140N10 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQH18N50V2 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQH35N40 | 400V N-Channel MOSFET |
| FQH44N10 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQH70N10 | FQH70N10 100V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQG4904TU | 功能描述:MOSFET 400V Dual N & P-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQH140N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQH18N50V2 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET V2 Ser RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQH35N40 | 功能描述:MOSFET 400V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQH44N10 | 功能描述:MOSFET N-CH/100V/48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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