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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQG4904 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 400V Dual N & P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 0.46 A, 400 V, 3 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | DIP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 1158K |
| 代理商： | FQG4904 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, April 2002
F
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
※
Notes :
1. V
= -10 V
2. I
D
= -0.23 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
-5
10
-4
10
t
1
, S quare W ave P ulse D u ration [sec]
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
※
N otes :
1. Z
2. D uty Factor, D = t
1
/t
2
3. T
JM
- T
A
= P
DM
* Z
θ
(t) = 78
℃
/W M ax.
JA
(t)
sing le p ulse
D = 0 .5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
25
50
75
100
125
150
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
D
,
T
A
, Ambient Temperature [
℃
]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10 ms
100 ms
1 s
100
μ
s
1 ms
DC
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
A
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics : N-Channel
(Continued)
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Ambient Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQH140N10 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQH18N50V2 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQH35N40 | 400V N-Channel MOSFET |
| FQH44N10 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQH70N10 | FQH70N10 100V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQG4904TU | 功能描述:MOSFET 400V Dual N & P-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQH140N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQH18N50V2 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET V2 Ser RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQH35N40 | 功能描述:MOSFET 400V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQH44N10 | 功能描述:MOSFET N-CH/100V/48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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