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參數資料
型號: FQU6N50C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary planar stripe, DMOS technology
中文描述: 4.5 A, 500 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: IPAK-3
文件頁數: 5/9頁
文件大小: 687K
代理商: FQU6N50C
Rev. B, June 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
相關PDF資料
PDF描述
FQD6N60C 600V N-Channel MOSFET
FQD6N60CTF 600V N-Channel MOSFET
FQD6N60CTM 600V N-Channel MOSFET
FQD6P25 250V P-Channel MOSFET
FQU6P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為-4.7A的P溝道增強型MOS場效應管)
相關代理商/技術參數
參數描述
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FQU7N10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET
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