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參數資料
| 型號： | FQU6N50C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary planar stripe, DMOS technology |
| 中文描述： | 4.5 A, 500 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 687K |
| 代理商： | FQU6N50C |
Rev. B, June 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
±
0.30
0
±
0
0
±
0
0
±
0
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±
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6
±
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±
0
9
±
0
6
±
0
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±
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M
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0.50
±
0.10
1.02
±
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2.30
±
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6.60
±
0.20
(5.34)
(5.04)
0.76
±
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(2XR0.25)
0
±
0
(
(
(
(
(
0
±
0
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
D-PAK
Dimensions in Millimeters
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD6N60C | 600V N-Channel MOSFET |
| FQD6N60CTF | 600V N-Channel MOSFET |
| FQD6N60CTM | 600V N-Channel MOSFET |
| FQD6P25 | 250V P-Channel MOSFET |
| FQU6P25 | 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為-4.7A的P溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU6N50C_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQU6N50CTU | 功能描述:MOSFET N-CH/500V/4.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU6P25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET |
| FQU6P25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU7N10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
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