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參數資料
| 型號： | FSAM10SH60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| 中文描述： | AC MOTOR CONTROLLER, 20 A, DMA32 |
| 文件頁數： | 14/17頁 |
| 文件大小： | 349K |
| 代理商： | FSAM10SH60 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
-
October 2001
Note
It would be recommended that by-pass capacitors for the gating input signals, IN
(XX)
should be placed on the SPM pins and on the both sides of CPU and SPM
for the fault output signal, V
FO
, as close as possible.
Fig. 11. Recommended CPU I/O Interface Circuit
Fig. 12. Recommended Bootstrap Operation Circuit and Parameters
CPU
COM
5V-Line
1.2nF
0.47nF
1nF
4.7k
4.7k
4.7k
,
,
IN
(UL)
IN
(VL)
IN
(WL)
,
,
IN
(UH)
IN
(VH)
IN
(WH)
V
FO
100
100
100
1nF
FSAM10SH60
15V-Line
20
220uF
0.1uF
1000uF
0.1uF
One-Leg Diagram of FSAM10SH60
Vcc
IN
COM
VB
HO
VS
Vcc
IN
COM
OUT
Inverter
Output
P
N
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSAM10SM60A | SPM (Smart Power Module) |
| FSAM15SH60A | SPM (Smart Power Module) |
| FSAM15SM60A | SPM (Smart Power Module) General Description |
| FSAM15SH60 | SPMTM (Smart Power Module) |
| FSAM15SM60 | SPM (Smart Power Module) General Description |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FSAM10SH60A | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FSAM10SM60A | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FSAM15SH60 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V 15A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FSAM15SH60A | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/15A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FSAM15SL60 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V 15A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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