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參數資料
| 型號： | FSAM10SH60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| 中文描述： | AC MOTOR CONTROLLER, 20 A, DMA32 |
| 文件頁數： | 2/17頁 |
| 文件大小： | 349K |
| 代理商： | FSAM10SH60 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
-
October 2001
Integrated Power Functions
600V-10A IGBT inverter for three-phase DC/AC power conversion (Please refer to Fig. 3)
Integrated Drive, Protection and System Control Functions
For inverter high-side IGBTs: Gate drive circuit, High voltage isolated high-speed level shifting
Control circuit under-voltage (UV) protection
Note) Available bootstrap circuit example is given in Figs. 7, 12 and 13.
For inverter low-side IGBTs: Gate drive circuit, Short circuit protection (SC)
Control supply circuit under-voltage (UV) protection
Temperature Monitoring: System over-temperature monitoring using built-in thermistor
Note) Available temperature monitoring circuit is given in Fig. 13.
Fault signaling: Corresponding to a SC fault (Low-side IGBTs) or a UV fault (Low-side supply)
Input interface: 5V CMOS/LSTTL compatible, Schmitt trigger input
Pin Configuration
Fig. 2.
Top View
C
SC
V
CC(UH)
V
S(U)
V
CC(VH)
V
S(V)
V
CC(WH)
V
S(W)
R
TH
N
U
N
V
N
W
U
V
W
P
V
COM
(L)
IN
(UL)
IN
(VL)
IN
COM
(L)
V
FO
C
FOD
R
SC
IN
(UH)
V
B(U)
IN
COM
(H)
V
B(V)
IN
(WH)
V
B(W)
V
TH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSAM10SM60A | SPM (Smart Power Module) |
| FSAM15SH60A | SPM (Smart Power Module) |
| FSAM15SM60A | SPM (Smart Power Module) General Description |
| FSAM15SH60 | SPMTM (Smart Power Module) |
| FSAM15SM60 | SPM (Smart Power Module) General Description |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FSAM10SH60A | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FSAM10SM60A | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FSAM15SH60 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V 15A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FSAM15SH60A | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/15A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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